BCH-508HS- 2 GY,5433668
作为市面上款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC MOSET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,电气间隙为 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。 这些小尺寸、低功耗、高性能串行SAM器件具有无限的耐用性和零写入时间,是涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、计量以及其他数学和数据密集型功能的应用的选择。这些器件的容量从64 Kb到4 Mb不等,支持 SPI、SDI 和 SQI 总线模式。请访问Micochip存储器产品页面,了解公司的所有存储器产品。菲尼克斯BCH-508HS- 2 GY 阅读更多







