xilinx 核心板优势供应商
与上一代OptiMOS 3相比,OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性,其DS(on)降低了42%,有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面,OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多,且 Q(typ)降低了 89%,使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度(Coss 和 Css),减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSET并联和电流共享,使温度变得更加均匀且减少了并联MOSET的数量。 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSET。CoolSi 阅读更多









