ZB 5,LGS:GERADE ZAHLEN 82-100,0800035:0082
此外，所有的GeneSiC MOSETs在已公布的耐雪崩测试中其耐受能力，且短路耐受时间延长30 阅读更多…
ZB 5,LGS:GLEICHE ZAHLEN 11,1050033:0011
为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作 阅读更多…
ZBF 6,LGS:GERADE ZAHLEN 82-100,0810834:0082
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSET低53 %。SiZ4800LDT导通电阻和 阅读更多…
ZBF 4,QR:FORTL.ZAHLEN 1-10,0808820:0001
此外，MA35H0系列还支持具有内置硬件浮点单元的DSP，提供了进一步的计算能力。在安全性方面， 阅读更多…
ZBF 6,QR:FORTL.ZAHLEN 1-10,0808765:0001
集成式12 V LDO（耐压42 V）无需外部电源，可直接通过12 V铅酸电池为设备供电。集成式 阅读更多…
ZBF 5,LGS:GERADE ZAHLEN 82-100,0810821:0082
今天隆重推出HL990x (HL9901和HL9904)系列三相全桥智能功率模块(IPM)。这些智能 阅读更多…
ZBF 5,LGS:UNGERADE ZAHLEN 81-99,0810863:0081
HT32支持多种开发环境(Keil/IA/SEGGE/GNU)，并提供硬件开发工具包、周边驱动函 阅读更多…
ZBF 4,LGS:GERADE ZAHLEN 82-100,0810818:0082
双板参考设计为汽车充电器模块制造商提供了灵活性和可编程性，以优化MPP功率损耗核算（MPLA）和基于 阅读更多…