PT 2,5/ 5-5,0-H PA1,3,4,5,1337572
芯片内部包括一个高精度带隙电路、一个模数转换器、一个带非易失性存储器的校准单元和两个DAC输出。 阅读更多
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现在,英飞凌基于今年早些时候发布的第二代(G2)CoolSiCTM技术,推出全新CoolSiC MO 阅读更多
为实现高S参数,新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料,以减少电容引起的信号失真的影响,并 阅读更多
全新CoolSiC MOSET 750 V G1产品系列在25°C时的DS(on)为8至140 阅读更多
MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离(编码)和高吞吐量等多种模 阅读更多
此前,三星 MX 部门主要在其高端平板电脑中使用高通的“骁龙”AP。例如,2022 年发布的 Gal 阅读更多
“LPDD5X DAM在具备越的移动端低功耗性能的同时,还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能 阅读更多
作为基于BSI结构设计融合近红外增强技术的工业面阵CMOS图像传感器,SC538HGS真正实现了可见 阅读更多
随着联网器件数量的快速增长以及安全标准和法规的收紧,物联网设计人员正在寻求更有效的方法,方便客户在收 阅读更多
NVIDIA Quantum-X800 IniniBand 网络和 NVIDIA Spectum 阅读更多