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转换电力的功率半导体因应脱碳举措而扩张和多样化，对可显著降低功率损耗的SiC功率半导体的需求正在增加。在xEV领域，功率半导体模块广泛用于功率转换设备，例如xEV驱动电机的逆变器。除了延长xEV的续航里程外，还需要紧凑、大功率、率的模块来进一步实现电池和逆变器的小型化。 VOIH72A 开关速度快，脉宽失真低，适用于数据通信、脉宽调制以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件瞬态共模噪声（ CMTI ）达 20 kV/μs。光耦供电电流低，是电流噪声隔离和断开接地环路，降低功耗的理想解决方案。菲尼克斯FMC 1,5/16-ST-3,5-RF,1952160其原理是：1.单层一端接地，不形成电位差，一般用于防静电感应。双层，最外层两端接地，内层一端等电位接地。此时，外层由于电位差而感应出电流，因此产生降低源磁场强度的磁通，从而基本上抵消掉没有外层时所感应的电压。如果是防止静电干扰，必须单点接地，不论是一层还是二层。因为单点接地的静电放电速度是最快的。以下两种情况除外：外部有强电流干扰，单点接地无法满足静电的最快放电。
FMC 1,5/16-ST-3,5-RF,1952160目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8×8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC MOSET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中开关模式电源（SMPS），如AI器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。 MAX32690 MCU采用68引线TQN-EP（0.40mm间距）封装和140焊球WLP（0.35mm间距）封装。该器件适用于工业环境，额定温度范围-40°C至+105°C，目标应用包括有线和无线工业通信、可穿戴和可听戴健身及健康设备、可穿戴无线设备、IoT和IIoT以及资产跟踪。
晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。TO-220封装的136双向晶闸管。TO-220封装的N沟道MOS场效应管。晶闸管可分为单向晶闸管和双向晶闸管两种。它们在电子电路中可以作为电子开关使用，用来控制负载的通断；可以用来调节交流电压，从而实现调光、调速、调温。另外，单向晶闸管还可以用于整流。晶闸管在日常中用的很广，像家里用的声控灯，一般采用16MCR100-6这类小功率单向晶闸管作为电子开关驱动灯泡工作。 现在，AMD锐龙9 9950X/9900X处理器已经解禁，下面为大家带来图赏。菲尼克斯FMC 1,5/16-ST-3,5-RF,1952160
STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过PWM控制提供强大的性能。一般是主电路放在电气线路图的左边，其他控制电路、辅助电路依次排列在线路图的右边。辅助电路的主要作用是控制主电路的，换句话说它是给主电路发出指令信号的电路，有时还提供工作状态的指示作用。这些电路是由接触器、继电器的触点、线圈、按钮、信号灯以及控制变压器构成。控制辅助电路一般电流比较小，我们绘制的时候用细实线绘制在电路的右边。由此我们能得出看懂电气线路图的一般方法是先看主电路再看控制电路，然后根据控制电路中每个支路的元器件的动作情况，进行分析控制电路是如何对主电路进行控制的。业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002，扩展了其XDP数字功率保护控制器系列。这款控制有专为电信基础设施设计的可编程安全工作区域（SOA）控制功能，以及不超过±0.7%的超低电流报告误差，能提高系统故障检测和报告的准确性。此外，该产品还采用升压模式控制技术，可在非SOA系统中更安全地开启场效应晶体管（ET）。
