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推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IG功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Tench IG技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eo —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。典型应用包括器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电（HID）灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。菲尼克斯MDSTBVA 2,5/11-G-5,08,1845426有些还可以反过来给定的，下边的就是频率上升或者下降图。而右边的绿色圈子，是通过开关I/O量给定不同速度段的频率值，三个端子一共有8种状态，去掉0速状态，就可以调出以下的7段速来，本质上和电位器调速并没有太多区别。以上的接线方法，实际上是传统的I/O控制的接线方法，实际上现在还有网络给定的，比如通过485口，或者一些总线甚至RJ45这些来给定的，这种就一个插头，直接插上就好了。还有一些是带编码器反馈的把变频器信号和电源正负接对就可以了，一些是带外部I/O连锁控制的，要看实际需要来接。
MDSTBVA 2,5/11-G-5,08,1845426″ 第三代650V快速碳化硅MOSET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、率的应用带来功率密度 数字化时代的高速发展要求推动未来技术创新的数据存储也持续迭代革新。为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，西部数据公司（NASDAQ：WDC）近日宣布推出搭载下一代高性能QLC（四级单元）的西部数据? PC SN5000S NVMe? SSD，从而为 PC OEM 厂商提供创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案，帮助用户轻松应对繁重的工作负载。
举例来说,你需要控制10个电机，它们的属性都是基本相同的：如“正转(BOOL)”、“反转(BOOL)”、“速度（INT)”、“加速度(INT)”、“减速度(INT)”等，如果程序中你需要用到这些属性，那么你可能需要为10个电机都建立这些变量，如果是单独建立，你就需要建立10*5=50个变量；如果你用UDT来处理，那就简单多了：先定义一个UDT，名字是MOTOR,里面添加上面所说的2个BOOL变量和3个INT变量（当然有需要可以添加其它数据类型的变量），然后建一个DB块，在里面建立10个变量M1~M10，数据类型就是MOTOR，保存后你会发现这10个变量都包括以上的几个属性，这样你就可以直接在程序中使用了。 日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量确保正确，是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择，满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合，确保严苛环境下稳定的电气性能。菲尼克斯MDSTBVA 2,5/11-G-5,08,1845426
通常，汽车系统中电子设备的寿命与其工作的温度直接相关，为了确保车辆持久耐用，如功率级场效应晶体管等组件能够长时间正常运行，温度传感器必须保证极高可靠性且漂移量。而传感器材料会影响漂移量，比如基于硅的温度传感器几乎无时漂现象，而电阻式温度传感器的漂移范围大概为每年±0.1°C ~±0.5°C，传统的负温度系数（NTC）热敏电阻的温漂通常会随时间而超过5%（不包括外部组件的漂移）。同时，随着系统的老化，温度传感器误差的增加，会限制系统效率并迫使其提前关闭或导致组件的热损坏。电阻率的计算公式：ρ=RS/l。其中ρ为电阻率——常用单位ΩmS为横截面积——常用单位㎡R为电阻值——常用单位ΩL为导线的长度——常用单位m电阻率的另一计算公式为：E/Jρ为电阻率——常用单位Ωmm2/mE为电场强度——常用单位N/CJ为电流密度——常用单位A/㎡（E，J可以为矢量）可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。简介：电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件(常温下20°C)的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。 为了应对这些挑战，Allego 推出两款高带宽电流传感器产品ACS37030 和 ACS37032，经优化设计可提供率和高性能，同时减少设计时间和电路板占用空间。它们采用双信号路径方法，其中一条路径使用霍尔效应组件捕获低频直流电流，另一条路径则通过电感线圈捕获高频电流数据。
