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首款采用新型PowePAK? 8 x 8L封装的第四代600 V E系列功率MOSET—SiH080N60E，为通信、工业和计算应用提供的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiH080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSET在功率转换应用中的重要优值系数（OM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。VL 53L9是一款直接To 3D LiDA 设备，分辨率高达 2.3k 区域。LiDA 集成了市场上的双扫描泛光照明，可以检测小物体和边缘，并捕获 2D 红外 (I) 图像和 3D 深度图信息。它是一款即用型低功耗模块，具有片上dTo处理功能，无需额外的外部组件或校准。此外，该设备还提供 5 厘米至 10 米的的测距性能。菲尼克斯ME MAX 17,5 G 3-3 KMGY,2713531星三角降压启动应用的很广泛，虽然现在很多都是软启动了，但是这个经典电路我们还是要了解的，今天主要是看一下二次线的实物接线，一个手动星三角一个自动星三角，需要哪个自己挑。手动星三角电机星型接法启动角形接法时运行，我们需要的只是一个转换。很多朋友可能知道原理，但是不会看电路图，这个实物接线清晰度还是比较高的，线圈A1A2的触点和NO常开和NC常闭点都标注的很清楚，仿照这个图接就可以了。自动的星三角这个用到了时间继电器，可以实现自动转换，我们一定要分清时间继电器的触点。
ME MAX 17,5 G 3-3 KMGY,2713531 产品满足苛刻应用要求，安装后即可安心使用，并提供保护措施，防止短路、过电流、过温和输入欠压故障。高功率型号还提供电源良好信号和使能引脚。 无论是组合穿戴还是单品佩戴，通过与三星Galaxy智能手机的互联，用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富：佩戴三星Galaxy ing或Galaxy Watch新品时，可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟；且二者在搭配使用时，不仅数据测量会更，戒指的续航还会进一步延长。
C722电压保持在7.5V。3当Y再次输出高电平时，C722又被充电到10V。当Y变为低电平是C722（10V）对C715(7.5V)充电。C715=8.75V。当Y再次输出高电平时，此时C715两端的电位为：左边：5V,右边：13.75V(5V+8.75V)，C715对C719充电，C719电压变为11.875V，C715由于对C719充电，电压变为11.875V。此时+15V_ALWP电压是11.875V。 使用这些器件可提率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN Smat Sense产品在DSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外，这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN 封装脚位兼容，无需进行布局返工和 PCB 重焊，进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。菲尼克斯ME MAX 17,5 G 3-3 KMGY,2713531
HAL/HA 3936 提供双芯片型号 HA 3936-4100，旨在提供经强化的冗余性和可靠性。利用堆叠式芯片架构，该型号通过占据相同的磁位来确保磁信号的同步测量。因此，它可以提供高分辨率的位置测量，并满足现代应用场景的严格精度要求。具体方法如下：将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。判别发射极和集电极由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。近期推出了用于科学和工业应用的pco.dimax3.6 ST流媒体高速相机。这款新相机采用实时图像流，能以360万像素的分辨率和2166帧/秒的记录速度捕捉清晰的图像，非常适用于高速分拣、分析和检测应用，包括生产控制与分析、质量保证、研究、工艺和材料开发、激光焊接、惰性气体焊接以及汽车安全气囊和部件测试。
