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于此同时,在1000V高压,125℃高温的测试条件下,NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内,极 阅读更多…
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如果高密度地安装频带相近的天线,一些本应放射到空间的功率会干扰近邻天线并流入其中,导致天线的放射特性 阅读更多…
在开发一款具有开创性的新游戏控制器时,我们选择了 ST 的集成 MCU 和蓝牙低功耗技术的近距离无线 阅读更多…
LPDD封装采用12纳米级工艺,四层堆叠,在提升Die密度的同时,减少厚度,提高耐热性 产品端 阅读更多…
””我们的新系列负斜率均衡器缓解了信号处理通道中的性能问题。它们在补偿放 阅读更多…
“ 在充分散热的情况下,连续漏极电流为 29A (70°C),但在 25 x 25mm 阅读更多…
内存利用效率较市场平均水平提高多达5倍。 ESP32-H2-MINI-1x模组很适合通过结合 阅读更多…
推出六款新型电源模块,旨在提升功率密度、提率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagP 阅读更多…
新型适配器的主要特点延伸到其低VSW,有助于准确的能量传输,同时减少信号损耗,从而实现越的连接标 阅读更多…
有分析人士认为,三星采用联发科的AP并非仅仅出于性能考虑,而是一种与高通谈判降低销售价格的战略举 阅读更多…