ME-IO 37,6 LB/FE 10U TBUS 7035,2202619
下一代物联网边缘设备要求在不影响功耗的情况下继续提高性能。英飞凌创新的PSOCEdge E8系列半导 阅读更多
ME-IO 75,2 EB/FE4 10U TBUS 7035,1458284
DV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 1 阅读更多
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