PTV 2,5-TWIN-MT,1079066
与现有的650 V SiC和Si MOSET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI器电源装置 阅读更多
PTC 2,5-TWIN-MT,3270082
根据 ISO 26262 标准开发的 HA 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集成到 ASI 阅读更多
ST 2,5-TWIN-MT,3036356
借助新型MX-DaSH系列，整车制造商及其供应商可以更好地满足设计中对更紧凑的混合连接的日益增长 阅读更多
D-PTI 2,5,1016672
村田首款实现了1608M尺寸且静电容量可达100的多层陶瓷电容器在高达105℃的高温环境下也能使用 阅读更多
D-PT 4-PE/3L,3210443
使用这些器件可提率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN Smat S 阅读更多
D-PTC 2,5-TWIN-MT,3270100
与早期的类似传感器不同，新的HL-G2系列数字输出设备在每个单元中都包括以太网和S-485接口， 阅读更多
D-PT 2,5-TWIN-MT,3211317
此外，由于为xEV设定了很高的安全标准，驱动电机中使用的功率半导体必须比一般工业应用中使用的功率半导 阅读更多
D-UDK 4,2775113
“ T vj = 25°C时漏源击穿电压为 400 V ，使其适合用于 2 级和 3 阅读更多
D-TBPC 2,5-TWIN-MT,1587245
“针脚间距：常见的针脚间距为1.00mm。 英飞凌-AM存储有固有的抗辐射性能，该技术 阅读更多