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5-TWIN BU

ST 10,3036110

  使用这些器件可提率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比,CoolGaN Smat S 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

QTCU 1,5-TWIN BU,3050057

XPL-IOT-1采用双核Am Cotex-M33应用微处理器,时钟频率高达128/64MHz,内置 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

PTV 2,5-TWIN BU,1078971

由于许多使用ust的项目都要重新使用传统代码,并保留对C/C++的投入,因此这一混合方案可能更具吸引 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

TB 150 I BU,3251204

  TGN298系列采用了55nm制程工艺,写入/擦除次数(P/E Cycle)达10万次,数据有效 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

STS 2,5-TWIN BU,3036275

  ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗,并实现了0V关断从而限度 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

ST 2,5-TWIN BU,3031254

目前,行业内广泛使用的激光测距系统(LDS)虽,但机械旋转部件的高速运动容易出现故障,且LDS模组和 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

STU 2,5-TWIN BU,3033029

  CoolSiC MOSET 750 V G1技术的特点是出色的DS(on) x Q和越的DS(o 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

TBP 2,5-TWIN BU,1574223

  此外,该系列全系产品均支持MLO多链路操作功能,使路由器能够同时利用多个无线频段和信道连接到Wi 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

STS 4 RD,3037494

  MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离(编码)和高吞吐量等多种模 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

ST 2,5-TWIN/ 1P BU,3042104

  工作电压为 3 至 3.6V – 通常消耗 50μA( 200μA)。  柏恩 Bouns 电源 阅读更多…

由fuxinhan,5 月2024年 12月 22日 前

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