PTTB 2,5-DIO.1N5408K/U-O,1556590
当前的高功率密度 GaN 和 SiC ET 充电和电源基础设施需要高速度、低损耗器件，以确保效率 阅读更多…
STTB 2,5-DIO.1N5408K/U-O,3031564
步进衰减器专为6 GHz、8 GHz和18 GHz频率的越射频性能而设计。它们的衰减水平有10、 阅读更多…
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