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5/ 4-G1-3

MCD 1,5/ 4-G1-3,81,1843091

这些无处不在的设备尽可能少用电量是非常重要的,因为这有助于限度地减少在其他地方浪费的电能。今天推出的 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDB 1,5/ 4-G1-3,81 P20 THR TR,1710666

其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDN 1,5/ 4-G1-3,5 RNP14THR,1953224

  株式会社村田制作所(以下简称“村田”)开发了行业首款(1)利用负互感(2)、能对从数MHz到1G 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCD 1,5/ 4-G1-3,81 BK,1800356

推出新系列8款小型高压电子熔断器(euse IC)——TCKE9系列,支持多种供电线路保护功能。首批 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDB 1,5/ 4-G1-3,81P20THRTRSO1,1710671

  SIM和嵌入式SIM (eSIM) 解决方案不仅确保了蜂窝连接的安全性,还可保证其无缝部署,极大 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDN 1,5/ 4-G1-3,5 RNP26THR,1953428

安全性对运营商来说至关重要;确保主时钟使用的时间基准是有效信号且值得信赖至关重要。TimePovid 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCD 1,5/ 4-G1-3,81 GY,1032489

于此同时,在1000V高压,125℃高温的测试条件下,NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内,极 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDN 1,5/ 4-G1-3,5 P14THR,1953936

  Bouns S5228A 和 S5828A 提供业界的电感和加热电流,感量高达 1000 μH, 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDNV 1,5/ 4-G1-3,81 P26THR,1750313

  Z/V2H处理器采用功率效率达10 TOPS/W的enesas专有DP(动态可重新设定处理器)- 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCDV 1,5/ 4-G1-3,81,1847741

  NSHT30-Q1在单芯片上集成了一个完整的传感器系统,包括电容式的相对湿度传感器、CMOS温度 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

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