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5/ 4-G-5

CCVA 2,5/ 4-G-5,08 RNP26THR,1956108

英飞凌提供的丰富高性能MOSET和GaN晶体管产品组合能够满足AI器电源对设计和空间的苛刻要求。我们 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 2日 前

CCV 2,5/ 4-G-5,08 P26THRR32,1955549

  此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道,实现共模(Common-Mode)稳定性,并 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 2日 前

IC 2,5/ 4-G-5,08,1786420

它可以应对双向直流开关,从而取代一对单向继电器,并包括电弧熄灭功能以关闭高功率直流电流。“我们已使用 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

ICV 2,5/ 4-G-5,08,1785968

  纳微发布的4.5kW高功率密度AI器电源参考设计,其采用了型号为G345MT60L(额定电压为6 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

IC 2,5/ 4-G-5,08 BK,1731086

千赫兹频带的传统噪声设备需要用到厚重的材料,其中有些还会使用金属材质。但问题在于,对于以追求尺寸和重 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MC 1,5/ 4-G-5,08,1836202

  与此同时,NCM825、NCM825A、NCM835、NCM865和NCM865A系列Wi-i 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MCV 1,5/ 4-G-5,08,1836312

同时提供2组CAN、USB OTG、ITM和多达87个快速GPIO口等,且XMC作为LCD并口,兼容 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MDSTB 2,5/ 4-G-5,08,1842539

  控制器和 24.50mm × 11.00mm DMD 与 15 x 15mm DLPA3085电 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MDSTBVA 2,5/ 4-G-5,08 BK,1800871

近日推出新型低漏电流开关解决方案,面向半导体测试,如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

MDSTBA 2,5/ 4-G-5,08 BD:1B-4A,1711698

ust使开发者能够充分发挥我们MCU的优势,更大程度地规避安全风险、缩短开发周期并降低成本。在汽车行 阅读更多

由fuxinhan,9 月2025年 1月 1日 前

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