DMC 1,5/18-G1-3,5 P35,1053835
TX3系列器件采用B(EIA 3528-21)和C(EIA 6032-28)封装,容值范围10 阅读更多…
TX3系列器件采用B(EIA 3528-21)和C(EIA 6032-28)封装,容值范围10 阅读更多…
STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离,可在高达1700V (SO-8 阅读更多…
随着技术和网络安全标准的不断发展,Micochip Technology Inc.(微芯科技公司 阅读更多…
“英飞凌通过将Qt图形解决方案直接集成到这些MCU中,进一步优化了这些器件并实现了智能渲 阅读更多…
M31 MIPI C/D-PHY Combo IP已在先进的台积电5纳米工艺上获得硅验证,并已开始3 阅读更多…
因此,在要求高可靠性的设备中,为了提高谐波区域的噪声消除效果,通过将多个电容器并联连接来降低阻抗。然 阅读更多…
“ 具体而言,SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170 阅读更多…
与上一代产品相比,新一代能耗降低高达50%。高能效可以减少电池更换次数,限度降低废旧电池的环境影响, 阅读更多…
与SPI版本一样,英飞凌新推出的并行接口-AM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性 阅读更多…
生活中的噪音来自方方面面,振动是声音的来源,声带的振动使得我们能够发出声音,而轮胎和地面的摩擦振 阅读更多…