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08 P26THRR88

CC 2,5/ 8-GF-5,08 P26THRR88,1954867

意法半导体6轴惯性测量单元 (IMU) ISM330BX 集成边缘 AI 处理器、传感器扩展模拟集线 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CC 2,5/11-G-5,08 P26THRR88,1954676

与现有的650 V SiC和Si MOSET相比,新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI器电源装置 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCA 2,5/12-G-5,08 P26THRR88,1955138

推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCA 2,5/ 9-G-5,08 P26THRR88,1955109

自2013年我们基于Empowe色谱数据系统推出代ACQUITY QDa质谱检测器以来,这套系统已成 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCA 2,5/10-G-5,08 P26THRR88,1955112

所有半导体器件均采用英飞凌的自主芯片连接技术,在同等裸片尺寸的情况下赋予芯片出色的热阻。高度可靠的栅 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CC 2,5/10-GF-5,08 P26THRR88,1954883

  为此,村田通过特有的元件设计技术和陶瓷多层技术,利用行业首款负互感产品,开发了让电容器内部寄生电 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCV 2,5/12-GF-5,08 P26THRR88,1955840

n7002 Wi-i 6 协同 IC 可与 Nodic 屡获殊荣的 n91 系列封装系统 (SiP) 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCVA 2,5/ 9-G-5,08 P26THRR88,1956030

此外,器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 ?A,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCV 2,5/10-G-5,08 P26THRR88,1955604

  三星Galaxy Z old6在升级用户工作方式的同时,还为用户带来更为精彩的大屏体验。内屏采用 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

CCVA 2,5/10-G-5,08 P26THRR88,1956043

  所有产品均采用热增强封装倒装芯片技术,尺寸从 PZ-0.5 的 2 x 2 x 2mm 到 PZ 阅读更多…

由fuxinhan,6 月2025年 1月 2日 前

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