SPT-THR 1,5/ 6-V-5,08 P20 R56,1823560
G3 GeneSiC MOSETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发,既拥有优于沟槽栅M 阅读更多
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0805、1206、2010 和 2512,电阻值为 0.2 毫欧姆。该系列具有高达 100 A 的 阅读更多
采用源极倒装PowePAK1212-封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理 阅读更多