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　　使用这些器件可提率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN Smat S 阅读更多

　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻DS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和 阅读更多

　　此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道，实现共模(Common-Mode)稳定性，并 阅读更多

　　Pastenack 新型负斜率均衡器性能优良，具有高可靠性、低驻波比和出色线性度。它们提供0.5 阅读更多

　　线性度为：满量程的±0.075%，但在更有限的范围内提高到满量程的±0.05%，例如40-60m 阅读更多