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电子元器件

FP 0,8/ 52-FH,1104543

  所有产品均采用热增强封装倒装芯片技术,尺寸从 PZ-0.5 的 2 x 2 x 2mm 到 PZ 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

FP 0,8/ 12-FV 10,85,1154128

  英飞凌表示,在 16MHz Am Cotex-M0 MCU 上进行内部处理,该 MCU 与 1M 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

M12MSB-5CON-PG9 SH XL PB,1401096

利用 TDK 的专有材料技术,TDK 成功开发出一种新型固态电池材料,由于使用了氧化物固体电解质和锂 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

M12MR-5PL M DN,1012967

  当前的高功率密度 GaN 和 SiC ET 充电和电源基础设施需要高速度、低损耗器件,以确保效率 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

FP 1,27/ 26-FV 9,05,1714882

  随着储能、充电桩、电源(UPS等)等市场的快速发展,对于高性能、高可靠性的电流传感器需求日益增长 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

M12FS-6Q SH VARAN,1429143

  不同之处在于,该处理器动态地修剪掉权重矩阵中带有零的计算——它的架构允许它执行更有效的“非结构化 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

FP 1,27/ 80-FH,1714880

为满足智慧金融、智能家居、智能穿戴、工业手持等消费和工业应用对高速率、多媒体、长生命周期等终端性能的 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

FP 0,8/ 32-FV 10,85,1154076

  MX-DaSH连接器提供密封和非密封型供客户选择,以满足各种环境和设计要求,从而优化下一代汽车架 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

FP 0,8/ 12-FH-SH,1043722

于此同时,在1000V高压,125℃高温的测试条件下,NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内,极 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

E-M12FSD-4PL-M20 PN,1139800

  1280 系列也是一样,但增加了一个热断路器,“从而无需上游过流保护”,Bouns 说道。  P 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 30日 前

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