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电子元器件

MKDSD 2,5/ 8-5,08,1730560

  OM-6881采用ockchip K3588处理器,具有4颗Am Cotex-A76, 4颗Am 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDS 5/ 6-7,62,1701488

NXP MCX A系列微控制器,该系列具有可扩展的器件选项、低功耗和智能外设,让设计人员可以选用更小 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSN 2,5/ 3 BK,1930807

利用 TDK 的专有材料技术,TDK 成功开发出一种新型固态电池材料,由于使用了氧化物固体电解质和锂 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSN 2,5/ 2,1890963

  1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSN 1,5/ 9-5,08 BK,1907827

  Siius Wieless在射频IP领域表现突出,它是当前射频IP 公司中能迈入台积电的先进制程 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSN 1,5/ 3-5,08 BK,1869651

  出色的能效:美光 HBM3E 功耗比竞品低约 30%, 处于行业地位。为支持日益增长的人工智能需 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSN 1,5/ 3 (VPE500),1933859

推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IG功率模块—VS-GT100TS0 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSN 1,5/ 2 H1L TS,1847889

藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 (LPDD)及奇景开发的动态随机存取内存控制器(DAM C 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDSF 3/ 3-5,08,1712737

  H10C220YT201MA8压敏电阻旨在为LIN总线上的电气元器件提供支持,连续电压为16 V 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

MKDS 5/ 2-9,5 GY,1710755

HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tenso Coe GPU 将采用美光 8 层堆 阅读更多

由fuxinhan,2 年2024年 12月 31日 前

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