MSTBO 2,5/ 4-G1L TRAY BK,2203074
日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量 阅读更多
MSTBV 2,5/12-G-5,08,1758115
这些功能有助于在参考平面（即被测设备的输入端）提供所需的功率电平。其中个功能是用户校正功能（UCO） 阅读更多
MSTBV 2,5/ 6-GF-5,08 AU,1841378
可以通过 SPI 端口设置栅极驱动电流，控制压摆率，限度地减少电磁辐射和耗散功率。在设置传统驱动 阅读更多
MSTBV 2,5/ 4-GF-5,08 EX,1796348
MAX32690 MCU采用68引线TQN-EP（0.40mm间距）封装和140焊球WLP（0. 阅读更多
MSTBV 2,5/ 3-GF-5,08 BG,1712555
低时延处理和高每瓦性能推理的结合可为关键任务实现高性能，包括将自适应计算与灵活的 I/O、用于 阅读更多
MSTBV 2,5/ 3-GEH-5,08,1808476
与上一代芯片相比，功率效率提高了50%以上。为了实现这一目标，SK海力士在产品开发过程中引入了一 阅读更多
MSTBV 2,5/18-GF-5,08 BK,1800985
“ AI Seve PSU 的 AC/DC 级采用多级 PC 实现，功率密度可达到 1 阅读更多
MSTBV 2,5/ 6-GEH-5,08,1808502
在高灵敏度模式下，OCH1970的灵敏度达到1.1μT/LSB，测量量程为±36mT；宽量程模式 阅读更多
MSTBV 2,5 HC/ 8-GF-5,08,1924583
对于需要比MCU板载AM更多的AM但又希望降低成本和减小电路板总尺寸的工程师来说，串行SAM是一种很 阅读更多
MSTBO 2,5/ 4-G1R YE,2915834
对于现代汽车安全性和功能性至关重要的潜在应用，600 V CoolMOS? S7TA提供了优化的解决 阅读更多