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瑞萨电子展示了通过动态可重新配置处理器的瞬时程序切换以及 AI 加速器和 CPU 的并行操作来操作该 SLAM，与单独的嵌入式 CPU 相比，操作速度提高了约 17 倍，运行功率效率提高了约 12 倍。新型6.5W硅射频（）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。菲尼克斯SAC–10,0-280/M12FRB OBS,1410271：一台最多可以提供48个千兆端口的交换机，其满配置容量应达到48×1G×2=96Gbps，才能够确保在所有端口均在全双工时，提供无阻塞的线速包交换。包转发率满配置包转发率(Mbps)=满配置GE端口数×1.488Mpps+满配置百兆端口数×0.1488Mpps，其中1个千兆端口在包长为64字节时的理论吞吐量为1.488Mpps。：如果一台交换机最多能够提供24个千兆端口，而宣称的包转发率不到35.71Mpps(24×1.488Mpps=35.71)，那么就有理由认为该交换机采用的是有阻塞的结构设计。
SAC–10,0-280/M12FRB OBS,1410271 AMD 工业、视觉、和科学市场总监 Chetan Khona 表示，采用 Embedded+ 架构的 ODM （原始设计制造商）集成支持使用通用软件平台开发低功耗、小尺寸规格及长生命周期的设计，适用于、工业以及汽车应用。采用该架构无需耗费额外的硬件和研发资源，可助力ODM缩短和构建时间以便更快进入市场。 TSB952 采用 3mm x 3mm DN8可润湿侧面封装，既能节省空间，又能实现经济的 PCB 设计。新产品还提供标准引脚布局的SO8 封装，方便客户升级现有设计，以提高性能和能效。
TL431是可控精密稳压源。它的输出电压用两个电阻就可以任意的设置到从Vref（2.5V）到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中用它代替稳压二极管，，数字电压表，运放电路，可调压电源，开关电源等。特性：可编程输出电压:2.495V~36V电压参考误差：±0.4%，典型值@25℃（TL431B）低动态输出阻抗:0.22Ω(典型值)温度补偿操作全额定工作温度范围负载电流1.0毫安–100毫安。 由MOSET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且DS(on)较低的MOSET（以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃）或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。菲尼克斯SAC–10,0-280/M12FRB OBS,1410271
这款新型 800G 收发器采用了 Coheent 高意的 140 Gbaud 集成相干发射机-接收机光学组件，其特点是集成了能磷化铟调制器和接收机，并结合了专有的嵌入式可调谐波长激光器。相干 800G QSP-DD 收发有多种工作模式，使其在精心设计的网络中能够实现 800 Gbps 速率下 1000 公里的传输距离，以及在 400 Gbps 速率下 2000 公里的传输距离。当变频器和PLC的电压信号范围不同时，如变频器的输入信号范围为0～10V而PLC的输出电压信号范围为0～5V时，或PLC一侧的输出信号电压范围为0～10V而变频器的输入电压信号范围为0～5V时，由于变频器和晶体管的允许电压、电流等因素的限制，需以串联的方式接入限流电阻及分压电路，调整变频器参数及跳线改变变频器电压和模拟信号，以保证进行开闭时不超过PLC和变频器接口电路相应的容量。此外，在连线时还应注意将布线分开，保证主电路一侧的噪声不传到控制电路中。 此次，三菱电机将推出配备SiC-MOSET或C-IG（Si）的J3系列紧凑型模块，作为在汽车市场得到广泛应用的T-PM的一代产品，这两种模块使用相同的封装，使xEV驱动电机逆变器能够进一步缩小尺寸。
