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GaNast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3）650V和1200V碳化硅MOSETs产品系列，为实现快的开关速度、的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。 今天发布的VL53L9是一款新推出的直接To 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDA雷达集成的双扫描泛光照明在市场上，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(I)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dTo处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。菲尼克斯SAC-4P-5,0-E10/M12FS,1411735众所周知，电工作业的特殊时期往往存在较大的风险，而交叉作业即属于特殊作业的一种。本文结合一起电工交叉作业引起的事故，和各位同仁分享电工交叉作业的风险分析和预控措施。春节往往是检修作业、春检的高峰时期，各种作业重叠、交叉，存在极大的风险。2016年4月，某水电站外包施工单位作业人员在大坝左岸效能区钢栈桥（俗称马道）用电焊机、氧焊机将原来施工期的临时木制悬梯改造为永久钢制悬梯时，电焊作业过程中，产生的高温金属熔融物掉落到可燃的挤塑型聚苯保温板上，引燃保温板。
SAC-4P-5,0-E10/M12FS,1411735 美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和 10.0 GB/s 的顺序写入速率，提供出色的性能，与业界同类 SSD 相比，其性能提升高达 67%，为 AI 等要求苛刻的工作负载带来业界的性能表现。此外，其随机读取速率达到 3,300 KIOPS，比竞品提升高达 35%，随机写入速率达到 400 KIOPS，比竞品提升高达 33%。 与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其DS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Q(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Css），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSET的数量。
通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下示：这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的极性()。在当今快速发展的数字环境下，数据，是企业宝贵的资产。ActivePotect的推出，体现了群晖一直以来对数据安全的深入钻研，以及对企业数据资产的重视。我们的目的是让不同行业、不同规模的企业都能轻松管理数据，从容应对日趋严峻的数据安全挑战。菲尼克斯SAC-4P-5,0-E10/M12FS,1411735
u-blox XPL-IOT-1包含开箱即用体验所需的各种元素，包括嵌入式SIM卡，内含u-blox MQTT Anywhee和MQTT Now帐户，可连接Thingsteam物联网交付平台。只需几个初始手动步骤，该套件就能将数据发布到云端，并演示完整的端到端解决方案。摇表测的是绝缘电阻，因此表盘上的数字的单位是“兆欧”（1兆欧=100W欧姆）。因此摇表又叫“兆欧表”。摇表所测出来的数值，直接决定了所测对象的绝缘性。什么地方需要测量绝缘电阻呢？最常见的是测量漏电——一根电线的绝缘层发生破损，势必会导致电线与大地之间接触，这就是漏电的来源。测量电线与大地（地线）之间的绝缘电阻，如果较小的话，则说明线路中有漏电。把测试棒夹在接线柱上：红色测试棒连接在L端接线子；黑色表笔连接在E端接线柱。LM技术提供了冲击和10～300 Hz的宽带频率响应，提供和细腻的反馈，同时也为游戏、V、可穿戴设备和计算机外设提供了敏锐的冲击触觉维度。TacHamme Calton提供3.6 Gms的宽带稳态加速度和25G的冲击加速度。
