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这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界的DS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS? 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。 Embedded+ 集成计算平台经过 AMD 验证，可助力 ODM 客户缩短和构建时间以便更快进入市场，而无需耗费额外的硬件和研发资源。采用 Embedded+ 架构的 ODM 集成支持使用通用软件平台开发低功耗、小尺寸规格及长生命周期的设计，适用于、工业以及汽车应用。菲尼克斯HCS-T MAXI D-SEAL 4,6,2203741三端集成稳压器是一种能够将不稳定的直流电压变为稳定的直流电压的串联式三引脚集成电路。用分离元器件构成的串联调整式稳压电路，具有组装麻烦、可靠性差、体积大等缺点。而三端集成稳压器是将稳压用的功率调整三极管、取样电阻器以及基准稳压、误差放大、启动和保护（过热、过流保护）等电路全部集成在单片晶体上制成的，具有体积小、性能稳定可靠、使用方便、价格低廉等优点。所以得到广泛应用。三端集成稳压器的封装采用晶体三极管的标准封装，其外形与晶体三极管完全一样。
HCS-T MAXI D-SEAL 4,6,2203741德州仪器推出适用于250W电机驱动器的650V 三相 GaN IPM（智能电源模块）DV7308，这是德州仪器首次推出采用氮化镓材料的智能电源模块。相较于硅基IG和MOSET，该产品实现功耗降低50%。V-8063-C8与V-8263-C8两款产品，分别搭载了SPI与IC总线接口，在追求尺寸的PCB设计中，它们成为了独立纳米功耗（190nA）计时功能的典范之作。
三极管按材料分有两种：硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）；两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。 虚拟现实 (V) 系统可以利用的深度和 2D 图像来增强空间映射，从而实现更身临其境的游戏和其他 V 体验，例如虚拟访问或 3D 化身。此外，该传感器能够在短距离和超长距离内检测小物体的边缘，使其适合虚拟现实或SLAM（同时和建图）等应用。菲尼克斯HCS-T MAXI D-SEAL 4,6,2203741
NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟（SSC）可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISP25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。具有这一性能的变频器，可根据负载要求实现短时间平稳加减速，快速响应急变负载，及时检测出再生功率。频率指标。变频器的频率指标包括频率范围、频率稳定精度和频率分辨率。频率范围以变频器输出的频率fmax和频率fmin标示，各种变频器的频率范围不尽相同。通常，工作频率约为0.1～1Hz，工作频率约为200～500Hz。频率稳定精度也称频率精度，是指在频率给定值不变的情况下，当温度、负载变化，电压波动或长时间工作后，变频器的实际输出频率与给定频率之间的误差与工作频率之比。 BidgeSwitch-2可利用硬件方式处理操作中发生的异常，进而可以使用IEC 60730标准中 A类安全的软件，这样可缩短数月的产品时间。无刷直流逆变器不工作时可设定进入睡眠模式，从而将驱动器功耗降至10mW以下；这意味着在规定的待机功耗限值下，可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多的可用功率。
