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　　与针头点胶不同的是，喷胶阀采用无接触方式施胶，可防止阀和元器件发生接触。这给具有复杂几何形状的元件点胶带来了很大便利。由于不需要在Z方向上移动，喷胶速度更快。
jst端子官网　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
　　服务多重电子应用领域、全球前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长，意法半导体新产品越级进化。

　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
　　当前，汽车前照灯正朝着小型化和高效节能的趋势不断发展。随着灯具尺寸逐渐减小，LED驱动需要具备更大的功率，以确保在有限空间内实现高亮度的照明效果。同时，为了降低整车电耗，缓解电动车续航焦虑，高效率也成为LED驱动产品不可或缺的特性。
jst端子官网　　器件采用版图对称布局、敏感线网衬底隔离、数模磁版图隔离环等技术，实现版图匹配的面积节约化。器件工作电压范围为1.7V至3.6V，待机功耗仅8uA，响应频率达200Hz。与国外3D霍尔效应位置传感器相比，在保持系统性能的同时，功耗降低，应用可配置模式，为电池供电或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。
　　此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。
　　MA35H0 系列包含两个 64/32 位 Arm Cortex-A35 内核，时钟速度高达 650 MHz。除了每个内核 32 KB 的 L1 缓存和 512 KB 的 L2 缓存外，MPU 还包括 128 MB 内部 DDR SDRAM，通过在 24 mm2 封装中引入更多内存，消除了对专用外部存储器的需求，这使得 MPU 非常适合计算密集型应用。

全新 Intel Xeon 6 处理器将提供 6700 系列和 6900 两个系列，前者是上一代 Intel Xeon 处理器的升级版，后者是全新的处理器，可限度地提高性能。Intel Xeon 6900 系列处理器将具有更多内核、更高的 TDP、更大的内存通道并支持 MCR DIMM。Supermicro X14 平台也是支持 OCP 数据中心模块化硬件系统 (DC-MHS) 的 Supermicro 平台，该系统可降低复杂性并简化大型云服务提供商和超大规模公司的维护。
jst端子官网　　凭借 10V 栅极驱动器，该公司声称第 8 代的栅极电荷比其 CFD7 MOSFET 低 18%，比 P7 低 33%。“在400V电压下，该产品系列的输出电容比CFD7和P7低50%，”它补充说。“与CFD7相比，[CFD7和P7]的关断损耗降低了12%，反向恢复费用降低了3%。”
　　英飞凌全新的PSOC Edge E81、E83和E84 MCU基于高性能的ArmCortex-M55内核，支持Arm HeliumDSP指令集并搭配Arm Ethos-U55神经网络处理器，以及Cortex-M33内核搭配英飞凌超低功耗NNLite（一种用于加速神经网络的专有硬件加速器）。
　　STM32H7 MCU搭载了在意法半导体迄今发布的产品中性能的ArmCortex-M内核(运行频率600MHz的Cortex-M7)，集成了容量的片上存储器和高速外部接口，让工程师能够使用简单的低成本微控制器开发工具，开发性能和灵活性更高的系统。现有产品再细分为两个产品线：STM32H7R3/S3通用MCU和图形处理能力增强的STM32H7R7/S7。开发人员可以在两个产品之间全面共享软件，有效利用项目资源，加快新产品上市。