te端子

　　市场对于电源模块小型化、高功率密度需求日趋强烈，对此，金升阳在K12MT系列原有6-16A产品基础上进行拓展，推出K12MT-20A系列。该系列优化系统功率需求，体积小，性能更加高效，输出电压在0.6-5V范围内精准可调，可满足各种复杂环境高要求和广泛需求的POL功率范围。
te端子　　模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。
　　在工业智能化的浪潮下，物流、工程机械、汽车测试等行业亟需更灵活、稳定、高效的CAN解决方案。CAN网桥凭借卓越的网络安全性、简易的安装维护、广泛的兼容性和强大的互操作性，已成为扩展通信距离、增加网络节点、数据中继及存储转发任务的解决方案。

　　TimeProvider 4500主时钟的先进硬件平台支持TimeProvider 4100 时钟的所有功能，确保部署新产品的运营商也能从对 TimeProvider 4100 系列的投资中获益。TP4500 因增强的硬件平台而在TP4100的基础上增加了一些特殊功能。
　　GL7004采用7um像素设计，具有10.5ke?的满阱和4.3e的读出噪声，单幅动态范围可达61.5dB。芯片的峰值量子效率为76.8% ，通过近红外增强技术，使得GL7004在850nm处的量子效率大于30%，以满足在新能源光伏检测中的需求。
te端子　　凭借其的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）（3）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps（4））。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量的存储器。
企业级SATA SSD UM311b采用SATA III 6Gb/s接口，提供向下兼容3Gb/s和1.5Gb/s端口速率，同时搭载3D TLC闪存介质，提供480G、960G、1.92T、3.84T多种容量选择，满足用户不同业务的存储需求。
　　三星采用的Dimensity 9300+被认为是联发科充分展示设计能力的产品，虽然与竞争对手骁龙8 Gen 3一样采用台积电4纳米（nm；1nm=十亿分之一米）工艺生产，但近在半导体性能评估网站上获得了更高的分数。据报道，它比高通的AP便宜10%以上。

　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
te端子　　R&S SMB100B 在每个细节上都体现了用户友好性。用户可以创建自己的自定义菜单，以便随时调用常用的参数。在设置和运行测量的同时，用户可以使用 SCPI 宏记录器把一开始的手动测量过程自动记录并生成程控代码，然后使用代码生成器以 MATLAB? 等语言输出指令。借助 R&S Legacy Pro特性，R&S SMB100B（以及其他R&S测试设备）可用于直接模拟其他仪器，如 R&S SMB100A 或行业同类型的仪器，不改动现有代码进行直接替换。
该传感器包含四对 TMR 半桥，并通过在 x-y 平面上施加磁场提供四个单独的 SIN/COS 输出。然后，即使在其中一个输出信号发生故障的情况下，也可以实现高达 ASIL D 级的更高系统安全级别，同时提供更高的位置信息可用性。
　　每个固定输出电压都可以通过外部反馈分压器在初始设定点以上调整。这使 GM12071 可提供 1.2V 至 VIN VDO 的输出电压且具有高 PSRR 和低噪声。
　　GM12071 提供 6 引脚 DFN 和 8 引脚 SOP 封装。仅有DFN 封装支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
　　GM12071可替代ADI的ADP7104、ADP7102等系列产品。