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　　为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
住友连接器官网　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
　　安费诺的MicroSpace高压选择性负载线缆压接连接器是一项颠覆性的解决方案，设计独特，既符合LV214 Severity-2标准，又允许存在间距偏差和提供高压性能。本篇博文将深入解析这项非凡连接器系统所具有的卓越性能和优点，以及其广泛用途。

该技术能够满足包括英特尔?至强? 6、英特尔? Gaudi AI加速器等在内的产品散热需求，可以在为客户提供更多的冷却方案的同时，带来更好的PUE和更低的TCO。
新型汽车级IHDF边绕通孔电感器—IHDF-1300AE-1A，额定电流 72A，饱和电流高达 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用铁氧体磁芯技术，厚度仅为15.4 mm，可在-55 °C至+155 °C恶劣温度条件下工作，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。
住友连接器官网　　SK海力士发布了新一代图形存储器GDDR7。SK海力士相关人士表示：“全球AI客户对GDDR表现出极大兴趣，GDDR是一种兼具高性能和高速度的专用于图形处理的D-RAM。为此，我们于3月份完成了目前性能的存储器GDDR7的开发，并计划于第三季度开始量产。”
　　HL7603的独到之处在于其宽电压范围，这一特性充分利用了硅阳极电池在3.4V至2.7V的电压范围内的额外容量，极大提升了搭载HL7603的AI手机相比采用传统的锂电池手机续航时间。
　　AC05 WSZ和AC05-AT WSZ采用坚固耐燃的硅酮水泥涂层，符合UL 94 V-0阻燃测试标准，适于严苛工作条件下使用。电阻器工作温度为-55 C至+250 C，绕线结构满足高温机械阻力、热冲击的严格要求。

　　SignalVu 频谱分析仪软件帮助射频 (RF) 工程师和研究人员对 RF 信号进行深入分析，广泛用于无线、军事和政府应用以及微波和物联网领域。作为现代示波器的附加功能，SignalVu 使 MSO/DPO 示波器用户能够全面了解复杂系统，例如雷达、电子战、卫星通讯、MIMO、上行链路/下行链路、网状网络和相控阵系统。
住友连接器官网　　新一代产品还支持近发布的Bluetooth LE Audio低功耗蓝牙音频规范，让令人兴奋的创新产品能够带来更丰富的听觉体验。这些技术包括新的蓝牙Auracast?功能，为人们打开了通向音频广播应用新世界的大门。
　　TDS4B212MX和TDS4A212MX具有不同的引脚分配。TDS4B212MX的引脚分配针对高频特性进行了优化。TDS4A212MX的引脚分配考量有助于兼容电路板布局。
　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。