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　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
wago插件网站氮化镓功率芯片搭配，使这款电源以137W/inch?的功率密度和超过97%的峰值效率，成为全球功率密度的AI服务器电源。同样，在400V的电动汽车电池系统中，TOLL封装的G3F MOSFETs是车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及6.6kW-22kW牵引电机的理想之选。
　　新款 Pixel 智能手机配备了 Google Tensor G4，谷歌称这是为 Gemini 等 AI 量身定制的。它比谷歌之前的处理器速度更快、更省电，谷歌还增加了更多 RAM（Pixel 为 12GB，Pixel Pro 型号为 16GB）。电池寿命和相机技术也全面改进，Pixel 9 Pro 型号采用 5 倍远摄镜头和 20 倍超分辨率变焦。

在实现强大性能的同时，TacHammer Carlton提供了小巧的尺寸，直径为15毫米，长度为34.3毫米，非常适合手持应用。它还独特地设计成可以由开发者定制，允许用户使用各种冲击材料来生成他们喜欢的触觉感觉和声音。
可穿戴终端作为佩戴在身体上的设备，在被要求小型化、高性能化的同时，还要长时间运行。特别是对于 TWS，还要求多功能化，如降噪功能、支持高分辨率音频、拆装检测和位置信息获取等各种传感器的高度化等。
　　NVIDIA 存储技术副总裁 Rob Davis 表示：“提升数据中心在 AI 工作负载下的效率和性能，对于降低成本并确保全球企业的运营可靠性至关重要。通过集成 NVIDIA 技术，美光 9550 SSD 能够为 AI 提供强大的存储支持。”
　　Power Integrations推出BridgeSwitch-2系列集成半桥(IHB)电机驱动器IC，进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案。这些高压器件支持30W至746W（1马力）的电机，并为广泛的应用提供高达99%的逆变器效率，
　　SMART RDIMM 内存模块采用Conformal Coating表面涂层技术，为浸没式液冷伺服器的内存模块提供强化保护，大幅提升数据中心应用的可靠性并降低成本。

在振动频率为10Hz-2000Hz，加速度147m/s?的振动测试中，产品瞬断时长≦1μs。满足高频振动环境下，设备对连接器公母端子间的接触稳定性要求。
wago插件网站　　此外，新产品还具有过热保护和短路保护功能，当电路产生异常热量或发生意外短路时，可通过立即关闭eFuse IC来保护电路。eFuse IC的另一个优势是消除复杂的电路设计，并减少组件数量——与使用分立部件实现保护功能相比，可以实现更简单的电路设计，使用更少的组件和更小的面积。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
XP Power正式宣布推出一款新的小巧型550W AC-DC电源，可用于自然对流冷却、传导冷却和强制空气冷却。这款新的PSU可满足医疗和工业应用，适用于广泛的应用 – 包括密封外壳环境。