harting连接器中国官网

　　HT32F53231/HT32F53241/HT32F53242/HT32F53252操作电压为2.5V~5.5V，操作温度范围提升至-40℃~105℃工业温度范围，指令周期可达60MHz，Flash容量为128KB，SRAM容量达16KB，搭载6通道PDMA，支持独立VDDIO管脚，可连接与MCU VDD电压不同的组件。
harting连接器中国官网　　英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储器。与同类产品相比，英飞凌产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压（低至2V）以及20 mA工作电流。
　　Bourns 2027-A 系列提供 75 V – 600 V 的击穿电压，具备高浪涌电流额定值和卓越的绝缘电阻，同时其工作温度范围宽广，从 -40 °C 到 +125 °C，确保在极端温度环境下的优异表现。凭借其强大的浪涌承受能力，Bourns 的 GDT 能够有效抵御高能量瞬态，保护敏感电子设备免受损害。这些新组件设计上注重耐用性，确保在设备使用生命周期内保持稳定的性能，从而显著降低维护和更换成本。

SC200P系列基于展锐UNISOC 7861平台的双核 ARM Cortex-A75和六核 ARM Cortex-A55处理器，内置Arm Mali? -G57 GPU，搭载Android 12操作系统，同时未来支持Android 14和16的升级，其高性能特性可助力终端在运行过程中以平滑、稳定的状态处理多种智能化指令。
　　从三星Foundry部门来看，每季度销售1亿颗AP的联发科是其必须争取的潜在客户。目前联发科主要将高端芯片委托给台积电生产。随着联发科在智能手机半导体市场的影响力不断扩大，也正在成为新型移动DRAM产品的验证合作伙伴，进一步扩大两家公司的接触点。
　　为了打造更贴近中国消费者的AI体验，三星在不断创新Galaxy AI功能的同时，也秉承积极开放的合作理念，与国内优质的合作伙伴开展了深入的合作，致力于构建更加完善的Galaxy AI生态，带来更为丰富的体验。
　　除2Tb QLC之外，铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC，1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%，读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。
　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

　　“Tachyon 的封装与 Raspberry P 5i 兼容，其 40 针连接器与 Raspberry Pi HAT 兼容。显示器、摄像头和 PCIe 连接器也兼容，因此为 Raspberry Pi 5 设计的配件可以与 Tachyon 配合使用，”该公司表示。
harting连接器中国官网很自豪地推出了的创新技术，使用户能够将其的频谱分析技术集成到任何平台或系统中。MS27200A是一款独立的微波频谱监测模块，频率范围从9 kHz一直到54 GHz，并具有板载处理功能。该模块具有110 MHz实时频谱分析（RTSA）带宽，DANL为-164 dBm（带前置放大器），这意味着该模块能够接收微弱和间歇的信号。MS27200A可用于军事、航空航天、卫星和各种市场的系统集成商。
这次我们实现了“LSCND1006HKT2R2MF”的商品化，将本公司传统产品“LSCNB1608HKT2R2MD”（1.6×0.8×0.8mm）的体积减少约 5 成，同时直流叠加允许电流值确保为 0.8A，直流电阻也为 375mΩ，实现了低电阻。
在封装上，SC200P系列采用40.5 × 40.5 × 2.85mm的经典LCC+LGA封装，且采用pin-to-pin完全兼容设计，方便客户后期平滑切换至移远SC200J高端系列与SC200L入门系列等智能模组产品，大大减少客户开发工作量，满足快速量产的需求。