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针对这一亟待解决的问题,芯擎科技推出工业级 “龍鹰一号” 7nm AIoT应用处理器SE1000-I,瞄准国产高端工业边缘计算和机器人应用,为市场提供了更高性能、更安全、高速接口更丰富的高端应用处理器,既满足了工业环境苛刻的运行条件,也符合新兴市场对工业级高性能计算的需求.
hirose CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压,并且通过单栅极共源极的设计进行了优化,以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ,后续还将推出一系列产品。
相较于传统的D2PAK-7L封装,表贴TOLL封装的结壳电阻(RTH,J-C)要低9%,PCB占位面积也要小30%,厚度低50%并且整体尺寸少60%,有利于打造功率密度的解决方案,如纳微的4.5kW高功率密度AI服务器电源。此外,由于其具备仅为2nH的封装电感,可实现卓越的高速开关性能和的动态损耗。
适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S7T)取得的进步基础上,显著提高了结温传感的精度,因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。
新款产品在现有 TAP1500 有源单端探头的基础上进行了改进,将原电缆延长了 5.7 米。TAP1500L 满足了工程师的一个重要需求:以更灵活、更安全的方式进行自动化测试。
美光科技股份有限公司宣布,推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上,美光相关产品负责人对两款产品的技术参数进行了介绍,并称,9550 SSD基于NVIDIA H100 GPU平台,针对AI工作负载进行了优化,特别考虑了采用大型加速器内存(BaM)进行图神经网络(GNN)训练。
Pixel 9 型号的后置摄像头条经过重新设计,位于设备背面的中央。其他设计细节包括磨砂玻璃背面和抛光金属侧面,谷歌表示新设备的耐用性是 Pixel 8 智能手机的两倍。Fold 的机身更薄,配有流体摩擦铰链,并在设备的一半上设置了矩形摄像头。
AIR-150 配备了 Hailo-8 AI 加速模块,可提供 26 TOPS 的计算能力。与英伟达(NVIDIA)Jetson Orin Nano 和 Xavier NX 相比,AIR-150 的 AI 能力更强,可为 AI 推理带来更高的吞吐量和更低的延迟。
创新产品 MPPS-4000-270,这是一款紧凑轻便的高输出电压可编程电源,专为军事领域使用而设计。该设备可接受 360-528 Vrms L-L 的三相输入,能够提供25~400 Vdc的输出电压,全功率可在175~400 Vdc 之间使用。作为一项安全措施,它配备了用户可编程的限流模式,在该模式下可以无限期运行,并且可以在 0.2 ~ 24A 之间设置。MPPS是各种应用的理想选择,包括为脉冲负载、高容性负载和电池充电供电。
hirose推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合,它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。
Power Integrations符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列包括额定耐压1700V的器件,其内部集成碳化硅(SiC)初级开关MOSFET,可使灵敏控制电路安全地从800V电池中取电。
凭借在芯片封装领域丰富的技术经验,三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装,使移动设备内有多余的空间,促进空气流动。散热控制能力因此得到提升,这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。