英飞凌 sic优势供应商
GD325系列高性能MCU配备了7.5MB的片上lash及1MB的SAM，其中包含2MB可配置零等待执行区(Code-lash)，有效提升代码处理效率和实时性；还提供了更大的Data-lash空间用于备份及参数存储。SAM/lash 全区支持ECC校验，以保障完整存储空间的稳定可靠，有效应对各类复杂的工业应用环境。 纳微发布的4.5kW高功率密度AI器电源参考设计，其采用了型号为G345MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3 ETs，用于交错CCM TP PC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSae?英飞凌 sic覆铜覆盖焊盘时，要完全覆盖，shape和焊盘不能形成锐角的夹角。尽量用覆铜替代粗线。当使用粗线时，过孔通常为非通常走线过孔，增大过孔的孔径和焊盘。修改后：3.尽量用覆铜替换覆铜+走线的模式，后者常常产生一些小尖角和直角使用覆铜替换走线:修改后4.shape的边界必须在格点上，grid-off是不允许的。（sony规范)5.shapecorner必须大小一致，如下图，corner的两条边都是4个格点，那么所有的小corner都要这样做。
英飞凌 sic 关键基础设施通信网络需要高精度、高弹性的同步和授时，但随着时间的推移，这些系统会逐渐老化，必须迁移到更现代化的架构。Micochip （微芯科技公司）今日宣布推出新型TimePovide XT 扩展系统。该系统是扇出机架，搭配冗余TimePovide 4100 主时钟使用，可将传统BITS/SSU设备迁移到模块化的弹性架构中。传统方法通常采用调节脉冲宽度调制 (PWM) 占空比的方法来改变电流强度，会占用大量 MCU 资源。软启动方式能避免瞬态电流冲击，不占用 MCU 的状态和资源，还可以自主设置参数，让整个系统更加灵活。
中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中假设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。 汽车产业正趋向使用更高电压的电压轨为车辆子系统供电，电池电压也从 12V 和 24V 提升到 48V。为了应对这种发展，AL1783Q 设计为可在 55V 电压轨下运作，因此本产品比其他通常只能在 40V 电压下运作的 LED 驱动器更具优势。此功能也使 AL1783Q 产品可支持不断提升的 LED 链电压。英飞凌 sic
创新产品 MPPS-4000-270，这是一款紧凑轻便的高输出电压可编程电源，专为军事领域使用而设计。该设备可接受 360-528 Vms L-L 的三相输入，能够提供25~400 Vdc的输出电压，全功率可在175~400 Vdc 之间使用。作为一项安全措施，它配备了用户可编程的限流模式，在该模式下可以无限期运行，并且可以在 0.2 ~ 24A 之间设置。MPPS是各种应用的理想选择，包括为脉冲负载、高容性负载和电池充电供电。如果接地线截面积很大，能够保证静电最快放电的话，同样也要单点接地。当然了，真是那样，也没有必要选择两层。否则，必须两层，外层主要是减少干扰强度，不是消除干扰，这时必须多点接地，虽然放不完，但必须尽快减弱，要减弱，多点接地是的选择。比如，企业中的电缆桥架其实就是外层，它是必须多点接地的，道防线，减小干扰源的强度。内层层(其实，大家不会买双层的电缆，一般是外层就是电缆桥架，内层才是电缆的层)必须单点接地，因为外部强度已经减少，尽快放电，消除干扰才是内层的目的。
