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OptiMOS? 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合oHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。日前发布的MOSET有效输出电容Co(e) 和Co(t)典型值分别仅为79 p和499 p，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。菲尼克斯MCDNV 1,5/15-G1-3,5 RNP26THR,1952720可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。
MCDNV 1,5/15-G1-3,5 RNP26THR,1952720美光 GDD7 的系统带宽超过 1.5 TB/s，2 较 GDD6 提升高达 60%，3并配备四个独立通道以优化工作负载，从而实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。与 GDD6 相比，美光 GDD7 的能效提升超过 50%，实现了更优的散热和续航；4 全新的睡眠模式可将待机功耗降低高达 70%。5 美光 GDD7 还具备的可靠性、可用性及适用性（AS），在不影响性能的同时，增强了设备可靠性和数据完整性，使美光 GDD7 适用于包括人工智能、游戏和高性能计算在内广泛的工作负载。推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ES 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
PN结如下图所示：在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低的P区扩散，扩散的结果使PN结中靠P区一侧带负电，靠N区一侧带正电，形成由N区指向P区的电场。即PN结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻档层。下面分两种情况讨论PN结的导通特性。PN结加上正向电压将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，在正向电压作用下，PN结中的外电场和内电场方向相反，扩散运动和漂移运动的平衡被破坏，内电场被削弱，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动大大地超过了少数载流子的漂移运动，多数载流子很容易越过PN结，形成较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，因而处于导通状态。QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。菲尼克斯MCDNV 1,5/15-G1-3,5 RNP26THR,1952720
PI3USB31532Q 采用 40 管脚 W-QN3060-40 封装，面积仅为 3mm x 6mm，凭借节省空间的优势实现设计灵活性与高性能。8.3GHz下带宽为-3dB ，10Gbps 下插入损耗、回波损耗和串扰分别低至 -1.7dB、-15dB 和 -38dB，这些特性确保信号高度完整性。TN-C供电方式一般用再低压公用电网和农村集体电网等等。TN-C供电方式2）TN-S供电方式TN-S供电方式属于三相五线制,五根导线颜色分别为黄L绿L红L淡蓝N、黄绿线PE。供电系统是工作零线和保护线是分开的。TN-S系统为电源侧电力变压器中性点直接接地时，负荷侧电器设备不带电的外露可导电部分通过保护零线接地的接零保护系统。TN-S工作零线和保护零线（接地线）是分开的，N线为工作零线，PE线为专用保护零线（接地线），即设备外壳连接到PE线上。双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和零电压开关（ZVS）拓扑结合在一起，确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此，在对流冷却情况下功率可高达300W，传导冷却情况下可达到400W，从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。
