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Bouns S5228A 和 S5828A 提供业界的电感和加热电流，感量高达 1000 μH，温升电流高达 5.2 A。这些电感器还提供 -40 °C 至 +150 °C 的宽工作温度范围。相反地，电磁继电器在结构上是开放的，其内部组件暴露在外面。随着时间的推移，在高湿度或者空气污染物环境中可能会导致氧化问题，并严重影响低电平性能。与此同时，舌簧继电器易于长期保持其性能和可靠性，在耐久性和寿命至关重要的应用中成为。菲尼克斯SPT-THR 1,5/ 3-V-5,08 P20 R32,1823531加在每相定子绕组上的电压为电源线电压U1的1/√3倍，因此启动电流较小。等电动机启动即将结束时再把手柄S2转到运行位置，电动机定子成三角形接法，这时加在电动机定子每组绕组上的电压即为线电压U1，电动机全压正常运行。采用Y-△星三角降压启动时，启动电流为直接采用三角形接法时启动电流的1/3，但启动转矩降低很多，所以只能用于轻载或者空载启动的电动机上。采用星三角降压启动的优点是所需设备简单、成本低，因而获得了较为广泛的采用。
SPT-THR 1,5/ 3-V-5,08 P20 R32,1823531 英飞凌表示，这种功率和性能的组合可节省系统物料清单 (BOM)，而 <10 ?A 深度睡眠和 <1 ?A 休眠模式可为低功耗和电池驱动应用节省能源。 PZ 系列包括额定电流为 0.5 A、1 A、2 A、3 A 和 6 A 的产品，输入电压低至 2.3 V，高达 7 V，具体取决于型号。输出电压可编程，范围低至 0.6 V，高至接近输入电压的值。新型 PL-5.0 系列可在 2.75V 至 17 V 的宽输入电压范围提供 5 A 输出电流，输出电压可编程，范围为 0.6 V 至 12 V。
MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC 用于器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN 产品系列的这些固有特性。菲尼克斯SPT-THR 1,5/ 3-V-5,08 P20 R32,1823531
TS-3032-C7通过外部事件检测中断与时间戳结合可编程，提供了针对欺诈和攻击的安全解决方案。此外，它的超小尺寸设计和可靠的真空密封金属盖，确保了其在微型化和成本敏感的大批量应用中的优势，同时保证了设备的长期稳定性和可靠性。)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。三极管引脚极性：插件引脚图示，贴件引脚图示下图为9014。般中小功率的三极管都是遵守左向右依次为ebc（条件是中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为ebc）场效应管：MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。 Maktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED，以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管，所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。
