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　　的KSC2轻触开关具有卓越的耐用性和更长的使用寿命，优于市场上的其他开关，不需要频繁更换。随着时间的推移，其稳定性能可增强用户信心，确保功能可靠。
安普　　全新的第八代BiCS FLASH2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。
　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。

　　三星Galaxy Buds3系列基于收集自用户的耳部3D统计数据与刀锋设计语言打造，佩戴牢固舒适，支持高达24bit/96kHz的高品质音频，以及自适应EQ和自适应ANC等降噪、声音优化功能。三星Galaxy Buds3 Pro支持独特的刀锋灯效设计，配备包含平面高音单元的增强型双路扬声器，并针对沉浸式体验推出了自适应噪音控制、警报检测和语音检测等创新功能，进一步提升用户的沟通方式与音频体验。在基于机器学习的预训练模型降噪算法和超宽频通话功能的加持下，三星Galaxy Buds3系列的通话效果也更加自然清晰。
该产品系列包括CoolGaN Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5×6和PQFN 6×8 封装）和CoolGaNDrive HB 650 V G5器件（集成了两个晶体管及高边和低边栅极驱动器，采用 LGA 6×8 封装）。新产品系列实现了更高的效率、更小的系统尺寸和更低的总成本，适用于续航时间较长的电动自行车、便携式电动工具，以及吸尘器、风扇和吹风机等重量较轻的家用电器。
　　产品主要规格包括高达 180 MHz 的时钟速度、高性能模拟数字转换器 (ADC)、高分辨率 (<100 ps) 脉冲宽度调制 (PWM) 和集成 CORDIC 加速器，用于从 CPU 卸载实时控制任务。据报道，该加速器对来自单核 ADC 的多达 16 个模拟信号的真正同步“空闲”采样速度可提高 25%，且不会出现采样抖动。 　　分析机构Techno Systems Research Co., Ltd 预测，到2029年，LTE Cat 1bis在所有非手持蜂窝通信设备中将占据43.6%的比例，预计在未来四到五年间这款产品将成为物联网 (IoT) 领域的蜂窝通信技术产品。新模块加强了u-blox的LTE Cat 1bis产品组合，满足了物联网和用户从传统2G/3G蜂窝通信网络进行迁移的需要。 　　为保证可靠性，TX3系列电容器的测试规范比标准商用器件更加严格。每个产品均采用标准筛选法进行100%浪涌电流测试，并对关键电气特性进行二次额外筛查，以消除批次间误差。为提供可靠解决方案，器件容芯和引线框采用硬塑料树脂封装。与MLCC相比，电容器符合MIL-STD-202测试标准，具有更高的抗冲击（100 g）和抗震动（20 g）能力。
　　智能制造应用产品系列：凌华智能的AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server )专为智能制造设计，驱动AI革新数字转型，提升生产灵活性和应变能力。
安普“美光的第七代NAND有176层，第八代NAND增加到了232层，而此次发布的第九代NAND达到了276层。但随着层数的增加，层数对NAND性能的重要性会降低。”他表示，美光正在研究多项前沿技术，并预计NAND层数将继续增加，但如何降低能耗、提高性能和芯片密度，比单纯的层数要求更为重要。
　　板载有 4Gbyte 内存、64Gbyte 闪存、双通道 NVMe 兼容 PCIe Gen 3 总线、带 DisplayPort 的 USB-C 3.1 PD、用于高达 1,200 x 2,520 显示器的四通道 DSI 以及两个用于高达 25Mpixel 的摄像头的四通道 CSI 接口。
英特尔正在将新的 Arc dGPU 添加到其现有产品组合中，包括 AI 增强型软件定义汽车 (SDV) 片上系统 (SoC)。一些入门级和中端汽车内饰级别可能适合使用 SoC 的集成显卡为驾驶舱供电。然而，英特尔表示，高端汽车可以通过 dGPU 提供更多功能。对于汽车制造商和开发商来说，更好的是，它表示为其 iGPU 平台开发的软件将与 A760A“完全兼容”。