瑞萨优势供应商
SiH080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10 V下典型导通电阻仅为0.074 Ω，超低栅极电荷下降到42 nC。器件的OM为3.1 Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2 kW以上电源系统的效率。多功能新型30V n沟道TenchET第五代功率MOSET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowePAK? 1212-封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSET关键的优值系数（OM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。瑞萨功能码设置：信息帧功能代码包括字符(ASCII)或8位(RTU)。有效码范围1-225(十进制)；数据区的内容：数据区有2个16进制的数据位，数据范围为00-FF(16进制)，根据网络串行传输的方式，数据区可由一对ASCII字符组成或由一个RTU字符组成。RTU方式的消息帧：Modbus的功能码：ModBus功能码与数据类型对应表：RTU方式读取整数据的例子：解析一下：主机发送指令，访问从站地址为1，使用功能码03（读保持寄存器），起始地址高8位、低8位：表示想读取的模拟量的起始地址(起始地址为0)。
瑞萨对于需要比MCU板载AM更多的AM但又希望降低成本和减小电路板总尺寸的工程师来说，串行SAM是一种很受欢迎的解决方案。Micochip的2 Mb和4 Mb串行SAM器件旨在以简便且具有成本效益的替代方案取代昂贵的并行 SAM。 此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道，实现共模(Common-Mode)稳定性，并以预加重(Pe-emphasis)方式补偿码间串扰 (ISI)。宽广的供电电压范围可简化系统设计，并延长便携式与电池供电设备的工作窗口。
单相电容电动机内部绕组可分为主绕组和副绕组两部分，且两相绕组相轴正交。副绕组对主绕组的有效限数比常用α来表示，设流过主绕组和副绕组的电流有效值分别为Im和Ia，则主绕组和副绕组的电流在数值上满足Im=αIa，相位上相差90°，即可获得圆形旋转磁场。为了电动机在正常运行点，电动机内气隙磁场接近圆形，电动机应满足下列基本电磁关系，即磁通势关系Im=-jαIa主土磁通在主、副绕组中的感应电动势E1α=jαI1mUm=E1m+Im(R1+jX1)主、副相的电压平衡方程Uα=E1α+Iα(R1α+jX1α)式中，X1R1a为副绕组漏抗和电阻；XR1为主绕组测抗和电阻。 HL990x系列的主要特点是内部集成快恢复超结功率MOSET，能够有效地减少电磁干扰(EMI)和开关损耗，具有的工作效率。内部集成高速高压集成电路(HVIC)不再需要多个驱动电源。该HVIC无缝地将逻辑信号转换为高压、大电流驱动信号，完全匹配内部功率MOSE，无需额外的开销和考虑，对于简化系统设计，提高性能具有重大的意义。瑞萨
产品支持单通道、双通道、四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，容量高达128Mb，写入/擦除次数达10万次，广泛适用于对高速读取性能、高可靠性和长寿命有严格要求的应用场景，覆盖工业应用、车载应用、影音、智能家居等领域。MODBUS是一种性价比非常之高的短距离，低成本通信解决方案，但是它也有缺点，比如实时性不高，传递的数据量有限，通信速率不高，容易受到干扰，但是瑕不掩瑜，我们不能因为它有缺点，就讳疾忌医，相反，我们要不断发现并解决它的漏洞，提高设备的可靠性，今天，我就跟大家分享下，在应用MODBUS通信过程中的几点经验。布线首先，你的MODBUS线缆一定不要放在线槽里，有些人总以美观为理由，把通信线放置在线槽内，其实这是非常错误的想法，是的照明电工思维方式。
