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此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道，实现共模(Common-Mode)稳定性，并以预加重(Pe-emphasis)方式补偿码间串扰 (ISI)。宽广的供电电压范围可简化系统设计，并延长便携式与电池供电设备的工作窗口。NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟（SSC）可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISP25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。菲尼克斯DMCV 1,5/15-G1-3,5 P20THR,1787331MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。
DMCV 1,5/15-G1-3,5 P20THR,1787331材料：常用塑料外壳和金属引脚，具备良好的电气性能和机械稳定性。 Micochip在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持等方面拥有20多年的丰富经验，能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Micochip的mSiC产品可提供的系统成本、快的上市时间和的风险。Micochip 的 mSiC 产品包括具有标准、修改和定制选项的 SiC MOSET、二极管和栅极驱动器。如需了解有关Micochip SiC产品组合的更多信息，请点击此处。
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