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TGN298系列由佰维自主研发设计，产品支持标准、双通道与四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，时钟频率高达120MHz，满足XIP在内的先进功能需求，加速设备系统启动和响应。此外，闪存被整理为4KB的小扇区，在需要代码、数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性与存储效率。 此外，VLMTG2332ABCA-0在20 mA下典型波长为525 nm，是健身追踪器和其他通过绿光吸收率不同进行心率检测设备的理想选择。VLMB2332T1U2-08在20 mA下典型波长为465 nm，适用于那些利用短波长蓝光检测微小颗粒的烟雾探测器。菲尼克斯MSTBVA 2,5/18-G-RN,1944754两相HB型步进电机皆为相内磁路，而三相HB型步进电机存在相内磁路和相间磁路两种形式。下图为三相HB型步进电机，有6个磁极，极上并没有小齿，转子齿数也少，此图描述了定子和转子的磁通路径，其中为相内磁路，为相间磁路。图相内磁路的情况，定子主极A1与相邻B相的B1或C相的C2，向下一相激磁时，会对与A1同极性的转子齿产生吸引力。在永久磁铁后侧的五个转子齿用剖面线表示，其与前侧的转子齿极性相反。同样图为相间磁路，定子主极A1与相邻B相的B1或C相的C2，向下一相激磁时，会对与A1的转子齿产生吸引力。
MSTBVA 2,5/18-G-RN,1944754相比背对背硅ET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% – 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。 无论是组合穿戴还是单品佩戴，通过与三星Galaxy智能手机的互联，用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富：佩戴三星Galaxy ing或Galaxy Watch新品时，可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟；且二者在搭配使用时，不仅数据测量会更，戒指的续航还会进一步延长。
对于伺服控制系统都需要配备速度反馈及位置反馈的编码器，我们在选择编码器时，不仅要考虑编码器的类型，还要考虑编码器的接口、分辨率、精度、防护等级等方面，以满足用户的控制要求。尤其是编码器的分辨率和精度与运动控制有着密切的联系，今天我们就跟大家聊聊伺服编码器的分辨率和精度。分辨率(resolution)分辨率是指编码器每个计数单位之间产生的距离，它是编码器可以测量到的的距离。对于旋转编码器来说，分辨率一般定义为编码器旋转一圈所测量的单位或者脉冲(如,PPR)。 高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVms，满足UL、CQC和VDE相关，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。菲尼克斯MSTBVA 2,5/18-G-RN,1944754
AMD推出成本优化型 PGA产品Spatan UltaScale+系列。该系列基于16nm inET工艺，主打更高的I/O数量、更低的功耗和强化的安全功能，并配套了从仿真到验证环节的设计工具，以满足下一代边缘端 I/O 密集型产品的应用需求。两相PM型步进电机以两相激磁方式驱动（如上文之中的两相PM型爪极步进电机的运行原理图），此时两相激磁，转子R的磁极静止在两相定子磁极之间。步：T1与T4导通，A相与B相激磁。如上面的三相PM步进电机运行原理图所示，A相与B相激磁，箭头方向为两绕组线圈产生的磁通方向，A相与B相磁极极性图中也有标识。由此，转子R被吸引到稳置。第二步：T1关断，T5变成导通，T4与T5导通，B相和C相激磁，如上面的三相PM步进电机运行原理图所示，B相和C相的线圈磁通方向相反。推出多路复用器／解复用器（Mux/De-Mux）开关“TDS4A212MX”和“TDS4B212MX”多路复用器／解复用器（Mux/De-Mux）开关。该新产品可用作2输入1输出Mux开关和1输入2输出De-Mux开关，适用于PC、器设备、移动设备等的PCIe5.0、USB4和USB4Ve.2等高速差分信号应用。
