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推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
weidmuller意法半导体推出了一个包含50W发射端和接收端的Qi无线充电配套方案，以加快医疗仪器、工业设备、家用电器和计算机外围设备等高功率应用无线充电器的研发周期。
　　该工艺还可以降低插入损耗，通常在 5GHz 时可降低至 0.6dB。
　　这是在 25°C 时，值为 0.9dB。在 -40 至 +95?C 的整个温度范围内，从 0.7 至 3GHz 增加到 0.8dBmax，从 3 至 5GHz 增加到 1dBmax。

　　近年来，激光在医美领域的应用日益增多，受到业界的广泛关注。立芯光电一直致力于医美领域大功率半导体激光芯片技术的不断创新研发。
近日推出新型低漏电流开关解决方案，面向半导体测试，如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产品基于开关随动保护层(switched guard)设计原理，提供PXI, PXIe和LXI版本，整体设计确保隔离电阻高达1013Ω。
因此，迄今为止，通常使用分立元件在干扰天线上形成被称为储能电路*4的滤波器功能来抑制天线间的干扰。然而，该方法存在一个问题：由于受到储能电路的插入损耗*5影响，虽然受到干扰的天线的特性得到了改善，但插入储能电路一侧的天线特性会劣化。
“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在引领 AI 革命方面的坚定承诺。”
　　UM311b相较忆联上一代产品在性能方面实现了提升。顺序读写性能可达550/530 MB/s，随机读写性能可达98K/42K IOPS，时延降低20%，功耗降低40%，可为企业级业务带来更快、更好的使用体验，并在关键应用场景下发挥更强的性能优势，满足用户对高性能的需求。

这种创新解决方案允许工程师定制TacHammer DRAKE电机的性能，提供增强的触觉反馈，无需定制触觉电机。
weidmuller　　英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”
此前，三星 MX 部门主要在其高端平板电脑中使用高通的“骁龙”AP。例如，2022 年发布的 Galaxy Tab S8 搭载了骁龙 8 Gen 1，去年推出的 Galaxy Tab S9 搭载了骁龙 8 Gen 2。然而，联发科的重大技术进步促使其决定在 Tab S10 中使用 Dimensity 9300+ 代替骁龙 AP。
保留了该系列早期成员的 40 针 GPIO 连接器，并且有两个 RS-232/422/485 COM 端口、三个 USB 3.2 Gen 2 Type-A 端口、两个 USB 2.0 端口和双千兆以太网 RJ-45 端口。