2024年全球半导体晶圆厂产能可望增长6%

fuxinhan发布

c季度报告显示,为了跟上芯片需求持续增长的步伐,全球半导体制造业的产能可望在2024年提高6%,2025年提高7%,达到每月3370万片晶圆(wpm:8英寸当量,下同)的历史最高产能。
2024年,5纳米及以下节点的前沿产能预计将增长13%,主要驱动力是用于数据中心训练、推理和前沿设备的生成式人工智能(AI)。为了提高处理能效,包括英特尔、三星和台积电在内的芯片制造商准备开始生产2nm全栅极(GAA)芯片,这将使2025年的前沿总产能增长17%。
SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示:”从云计算到边缘设备,人工智能处理的普及正在推动高性能芯片的开发竞赛,并推动全球半导体制造产能的强劲扩张。”这创造了一个良性循环:人工智能将推动半导体内容在各种应用领域的增长,而这反过来又会鼓励进一步的投资。”

中国大陆芯片制造商的产能预计将保持两位数增长,继2024年增长15%至885万片之后,2025年将增长14%至1010万片,接近行业总产能的三分之一。尽管存在超额增长的潜在风险,但该地区仍在继续积极投资扩大产能,部分原因是为了减轻近期出口管制的影响。包括华虹集团、力晶、西安集成、中芯国际和DRAM制造商CXMT在内的主要晶圆代工供应商都在大力投资,以提高该地区的半导体制造能力。
预计到2025年,大多数其他主要芯片制造地区的产能增长将不超过5%。预计2025年中国台湾的产能将达到580万wpm,增长率为4%,位居第二;而韩国预计明年将位居第三,在2024年首次突破500万wpm大关后,产能将扩大7%,达到540万wpm。日本、美洲、欧洲和中东以及东南亚的半导体生产能力预计将分别增长470万wpm(同比增长3%)、320万wpm(同比增长5%)、270万wpm(同比增长4%)和180万wpm(同比增长4%)。

主要受英特尔建立代工业务和中国产能扩张的推动,代工领域的产能预计将在2024年和2025年分别增长11%和10%,到2026年达到1270万wpm。
为满足人工智能服务器对更快处理器不断增长的需求,高带宽内存(HBM)得到迅速采用,这推动了内存领域前所未有的产能增长。人工智能应用的爆炸式增长推动了对更密集的HBM堆栈需求的增长。作为回应,领先的DRAM制造商正在增加对HBM/DRAM的投资。预计2024年和2025年DRAM容量都将增长9%。
相比之下,3D NAND市场复苏依然缓慢,预计2024年产能不会增长,2025年预计增长5%。
边缘设备中人工智能应用的兴起预计将使主流智能手机的DRAM容量从8GB增加到12GB,而使用人工智能助手的笔记本电脑将至少需要16GB的DRAM。人工智能向边缘设备的扩展也将刺激对DRAM的需求。

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